Radiation induced defects in CVD-grown 3C-SiC

伊藤 久義; 吉川 正人; 梨山 勇*; 三沢 俊司*; 奥村 元*; 吉田 貞史*

IEEE Transactions on Nuclear Science, 37(6), p.1732 - 1738, 1990/12

https://doi.org/10.1109/23.101184

化学気相成長(CVD)法によりエピタキシャル成長させて作製した立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)結晶において、陽子線・電子線照射により誘起される欠陥の構造を電子スピン共鳴(ESR)測定により調べた。2MeV陽子線照射、1MeV電子線照射3C-SiCのESR測定の結果、15本線(g値=2.00290.0001)から成るESRスペクトルが観測された。このスペクトルは、1個の常磁性電子(孤立電子)スピンと4個の等価なC原子位置におけるC核スピン及び12個の等価なSi原子位置におけるSi核スピンとの超微細相互作用で説明できることが解った。これより、この欠陥の構造としては、3C-SiC中のSi原子位置における点欠陥であると考えられる。